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EspecificacionesPeso y dimensionesPeso86,18 gDesempeñoSoporte TRIMSoporte S.M.A.R.T.Profundidad6,86 mmAncho100 mmAltura70,1 mmEscritura aleatoria (4KB)90000 IOPSDisco duroVelocidad de escritura520 MB/sVelocidad de lectura550 MB/sLectura aleatoria (4KB)98000 IOPSVelocidad de transferencia de datos6 Gbit/sDetalles técnicosIntervalo de temperatura operativa0 - 70 °CGolpes en funcionamiento1500 GControl de energíaConsumo de energía (espera)0,5 WConsumo de energía (max)4 WPower consumption DevSlp (device sleep)2 mWConsumo de energía (promedio)3 WDiseñoColor del productoNegroTiempo medio entre fallos1500000 hAlgoritmos de seguridad soportados256-bit AESRecolección activa de elementos no utilizadoscalificación TBW4800NAND flash typeMLC (Multi Level Cell)Opal SSC 2.0IEEE 1667Tipo de memoriaMLCComponente paraPC/ordenador portátilDevSlp (device sleep) supportTipo de controladorSamsung MJXFactor de forma2.5pulg.InterfazSerial ATA IIICapacidad2000 GB